PL

检测原理

· 光致发光( Photoluminescence,简称PL) ,太阳电池的缺陷往往限制其光电转换效率和使用寿命

· 光致发光可快速通过少子寿命变化进行硅片检测,其原理是利用光致发光原理获取晶体硅的荧光照片,且有高分辨率,用以探测硅片的粗糙面及内部破损情况

· 相对比EL测试需要接触样品才能进行,PL测试不接触样品,因此可对生产电池片中各生产过程进行监控



项目规格
设备尺寸

长450mm宽450mm高770mm

适用最大尺寸175*175mm
适用Wafer类型

单晶、多晶

最高产能

>3600PCS/小时

像素精度

<0.34mm(0.5K 线扫相机)

检测缺陷精度<0.34mm

UPTime

>98%



项目规格

黑心、黑边、黑

单晶、多晶

隐裂单晶、多晶
划痕

单晶、多晶

污染

单晶、多晶

断栅

单晶、多晶

烧结不均

单晶、多晶
位错

多晶

破损单晶、多晶

成像效果

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